5 mm-es InGaAs PIN fotódióda TO5

Termék áttekintése   - 5 mm-es InGaAs PIN fotódióda TO5

A Box Optronics BPD-5STO5B-FW egy 5 mm-es aktív felületű InGaAs PIN fotodióda TO5 hermetikus csomagolásban, lapos ablakkal. 900-1650 nm-es spektrális válasza lefedi az általános közeli infravörös érzékelési és spektroszkópiai hullámhosszakat. A nagy, 5 mm-es aktív terület nagy optikai gyűjtési képességet és igazítási toleranciát biztosít nagy vagy divergens nyalábokhoz, így alkalmas szabad térbeli optikai észlelésre, teljesítménymérésre és NIR-érzékelő alkalmazásokra.

Főbb jellemzők   - 5 mm-es InGaAs PIN-es fotódióda TO5

· Nagy aktív terület átmérője: 5 mm

· Széles spektrális választartomány: 900-1650 nm

· Nagy érzékenység: 0,9 A/W, tipikusan 1310 nm-en; 0,95 A/W jellemző 1550 nm-en

· Alacsony sötétáram

· Hermetikus TO5 lapos ablakos fémcsomag

· Alkalmas szabad hely optikai érzékelésére és nagysugaras teljesítménymérésre

Tipikus alkalmazások   - 5 mm-es InGaAs PIN-fényképdióda TO5

· Optikai teljesítménymérők és kézi optikai teljesítménymérő eszközök

· Optikai teljesítményfigyelő modulok és beépített teljesítményfelügyelet az optikai berendezésekben

· Száloptikai kommunikációs teszt- és mérőműszerek

· Szabad helyű optikai érzékelő és optikai érzékelő rendszerek nagy vagy széttartó nyalábokkal

· Közeli infravörös (NIR) spektroszkópiai és analitikai műszerek a 900-1650 nm-es tartományban

· Optikai csillapító kalibrálása és optikai komponensek jellemzése

· Fotonikai kutatás és laboratóriumi optikai mérőműszerek

· OEM-integráció optikai tesztberendezésekbe, száloptikai műszerekbe és ipari optikai rendszerekbe

Termékleírások   - 5 mm-es InGaAs PIN-fényképdióda TO5

Abszolút maximális besorolások (TC = 25°C)

Elektrooptikai jellemzők (TC = 25°C)

Csomag méretei és tűdefiníció   - 5 mm-es InGaAs PIN fotódióda TO5

Rendelési információ   - 5 mm-es InGaAs PIN fotódióda TO5

Modellnómenklatúra

BPD - X X - XX - X - X

Példa: BPD-5STO5B-FW

Adatlap

adatlap

Gyakran Ismételt Kérdések (GYIK)

K: Mi a különbség az 5 mm-es, 3 mm-es, 2 mm-es és 1 mm-es InGaAs PIN fotodiódák között?

V: Az elsődleges különbség az aktív terület átmérője, amely befolyásolja az optikai gyűjtési képességet, az igazítási tűrést és a csatlakozási kapacitást (és ezáltal a sávszélességet). Az 5 mm-es eszköz biztosítja a legnagyobb aktív területet és nagyobb beállítási tűréshatárt, így kiválóan alkalmas szabad hely észlelésére, nagy vagy divergens nyalábokra, valamint optikai teljesítmény mérésére, ahol a pontos igazítás nehezebb. Nagyobb aktív területe azonban nagyobb csomóponti kapacitást eredményez (160 pF jellemző -5 V-on), ami korlátozza a sávszélességet a kisebb területű eszközökhöz képest. A 3 mm-es és a 2 mm-es eszközök egyensúlyt biztosítanak az optikai gyűjtési képesség és a sávszélesség között, míg az 1 mm-es készülék általában alacsonyabb kapacitást és gyorsabb választ ad, de pontosabb optikai igazítást igényel. A választás a nyaláb méretétől, a csatolási módtól és az alkalmazás sávszélesség-igényétől függ.

K: Milyen hullámhossz-tartományt képes érzékelni ez az 5 mm-es InGaAs fotodióda?

V: Ez az InGaAs PIN fotodióda széles spektrumválaszt biztosít 900 nm és 1650 nm között, lefedve az általánosan használt optikai hullámhosszokat, beleértve az O-sávot (1260-1360 nm), a C-sávot (1530-1565 nm) és az L-sávot (1565-1625 nm). A válaszadó értéke 1310 nm (tipikus 0,9 A/W) és 1550 nm (tipikus 0,95 A/W). Alkalmas NIR detektálási alkalmazásokhoz, például optikai teljesítmény méréshez, lézeres megfigyeléshez, érzékeléshez, spektroszkópiához és optikai műszerekhez ezen a tartományon belül.

K: Mi a minimális rendelési mennyiség (MOQ)?

V: Az 5 mm-es InGaAs PIN TO5 Photodiode MOQ értéke 1 egység. Rugalmas rendelési mennyiségeket támogatunk, a K+F-hez és prototípusgyártáshoz szükséges egyedi egységektől a műszergyártáshoz és az OEM-programokhoz szükséges nagyobb mennyiségekig. Lépjen kapcsolatba értékesítési csapatunkkal a kívánt mennyiség alapján történő árazásért.

Üzemeltetési megjegyzések és kezelés

· Kövesse a megfelelő ESD-védelmi eljárásokat a fotodióda kezelésekor.

· Ne érintse meg a vezetékeket vagy az optikai ablakot csupasz ujjal.

· A nem használt eszközöket ESD-biztos csomagolásban vagy vezetőképes tálcákban tárolja.

· Ne lépje túl az adatlapon megadott abszolút maximális feszültség- és hőmérsékletértékeket.

· Az optikai ablakot IPA-val és szöszmentes pálcikával óvatosan tisztítsa meg, ha az kompatibilis az ablak anyagával.

· Ügyeljen a helyes polaritásra, és használjon nulla vagy fordított előfeszítésű műveletet az alkalmazási áramkörnek megfelelően.

· Az FW verzió esetén a beeső sugarat az aktív területre kell helyezni az optimális észlelés érdekében; az 5 mm-es aktív terület nagyvonalú beállítási tűrést biztosít.

· A forrasztás és az összeszerelés során kerülje a vezetékek túlzott mechanikai igénybevételét.

Kapcsolódó termékek

· 1 mm-es aktív területű InGaAs PIN-fényképdióda  (Modelek: BPD-1STO46B-BL golyóslencsével és BPD-1STO46B-FW lapos ablakkal)

· 2 mm-es InGaAs PIN TO5 fotodióda (modell: BPD-2STO5B-FW)

· 3 mm-es InGaAs PIN TO5 fotodióda (modell: BPD-3STO5B-FW)

· Koaxiális Pigtailed InGaAs PIN fotodióda érzékelő

Lépjen kapcsolatba értékesítési csapatunkkal a kapcsolódó termékekkel és a személyre szabott fotodetektor megoldásokkal kapcsolatos további információkért.